Intel не желает гласить о четких сроках возникновения 10-нм процессоров»

Хотя компания Intel не один раз подтверждала разработку 10-нм технологического процесса, также соответственных процессоров, компания никогда не стремилась поведать о четких сроках возникновения новейших микросхем на рынке. В конце января один из управляющих Intel на Ближнем Востоке оговорился, что 1-ые 10-нм чипы следует ожидать сначала 2017 года, но на прошлой недельке компания отозвала своё заявление.

«Мы планомерно следуем по намеченному законом Мура пути, это было ядром наших нововведений крайние 40 лет», — произнес Тага Халифа (Taha Khalifa), генеральный менеджер Intel в регионе Близкого Востока и Северной Африки, в интервью Gulf News. «Ожидается, что 10-нм микросхемы будут выпущены сначала 2017 года».

Intel не хочет говорить о точных сроках появления 10-нм микропроцессоров"

С того времени, как Intel официально подтвердила, что введет 10-нанометровую технологию производства согласно графику, также анонсировала планы по модернизации производственного комплекса Fab 28 (Кирьят Гат, Израиль) для производства 10-нм чипов, ожидалось, что компания начнёт создание центральных микропроцессоров, узнаваемых под кодовым заглавием Cannonlake, во 2-ой половине 2016 года.

Ожидания были обоснованы каденцией представления новейших процессоров Intel любой год (также популярная, как стратегия «Тик-Так»), принимая во внимание тот факт, что чипы Skylake должны показаться во 2-ой половине 2015.

Считается, что процессоры Cannonlake унаследуют микроархитектуру Skylake, но получат наиболее высочайшие тактовые частоты и/либо понижение энергопотребления благодаря наиболее узкому технологическому процессу. Если веровать заявлению регионального управляющего Intel, то такие микропроцессоры должны могли быть начать выполняться в четвертом квартале 2016 года, чтоб быть представленными сначала 2017. Хотя начало использования 10-нм технологических норм в таком случае вышло бы несколько позднее ожидаемого, освоение нового техпроцесса всё равно бы началось на несколько кварталов ранее, чем у соперников гиганта.

К огорчению, на прошлой недельке наикрупнейший производитель процессоров в мире отказался от собственного комментария и произнес, что его 10-нм микросхемы «находятся в стадии разработки» и что компания в истинное время не желает дискуссировать сроки возникновения соответственной коммерческой продукции на рынке по суждениям конкурентных преимуществ.

Невзирая на то, что официально Intel не желает разглядывать 1-ый квартал 2017 года как срок возникновения микропроцессоров Cannonlake, беря во внимание всё вышеупомянутое, было бы логичным ждать начало их производства в конце последующего года и возникновение на рынке в первой половине 2017 года. Принимая во внимание, что модернизация производственного комплекса в Кирьят Гат ещё не началась, трудно ждать начало массового производства Cannonlake ранее, чем под конец 2016. Вообщем, Intel постоянно начинает изготовка чипов в комплексах D1X/D1D (Хиллсборо, Орегон, США (Соединённые Штаты Америки — государство в Северной Америке)), которые используются для отработки массового производства по новым техпроцессам. В случае необходимости компания может начать реализации продукции с D1X/D1D до начала производства на остальных фабриках.

Intel не хочет говорить о точных сроках появления 10-нм микропроцессоров"

Так либо по другому, но беря во внимание тот факт, что Intel обычно впереди всех собственных соперников по внедрению новейших техпроцессов, очень возможно, что производитель чипов станет первым в промышленности, кто использует технологические нормы 10 нм. Такие компании, как TSMC, Самсунг и GlobalFoundries планируют начать использовать 10-нм техпроцессы конкретно в 2017 году. А означает, Intel просто должна создать это ранее.

В сентябре прошедшего года компания Intel в первый раз показала 300-мм подложки, обработанные по технологии 10-нм. К огорчению, тогда Intel не поведала каких-то подробностей о новом технологическом процессе. Единственное, что в истинное время понятно о 10-нм техпроцессе Intel, это то, что он будет продолжать применять транзисторы FinFET с вертикально размещенным затвором, но не будет использовать EUV фотолитографию.

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

четыре × 5 =